電工電(diàn)子級矽(xī)微粉

在(zai)高技術(shu)領域得(de)到廣泛(fàn)的應用(yòng)

在電工(gong)領域，由(you)于其優(you)異的耐(nai)熱性和(hé)耐輻射(she)性，經常(cháng)用作輻(fú)射環境(jing)下的耐(nài)高溫漆(qi)包線漆(qī)。在電子(zǐ)射線輻(fu)射的環(huán)境下，被(bei)輻射的(de)聚酞亞(yà)胺漆包(bao)線在1.XlO。rad時(shí)幾乎沒(méi)有劣化(hua)，擊穿電(dian)壓沒有(yǒu)下降，而(ér)耐磨耗(hào)性反而(ér)略有升(sheng)高。在射(shè)線輻射(she)的場合(hé)，被輻射(shè)漆包線(xian)的耐輻(fú)射順序(xù)爲:聚酰(xian)亞胺>聚(ju)酯亞胺(an)> 聚酯> 聚(ju)酰胺亞(ya)胺。聚酰(xiān)亞胺薄(bao)膜的耐(nài)輻射性(xìng)是塑料(liào)薄膜中(zhōng)最好的(de)。經射線(xian)輻射後(hou)，當輻射(shè)劑量達(dá)10。rad時，材料(liao)的拉伸(shen)強度下(xia)降約25 9／5～3O 9／6，伸(shēn)長率下(xia)降約45 ～ 5O 9／6，彈(dan)性模量(liàng)隻損失(shi)5 9／6，體積電(diàn)阻率、介(jie)電常數(shù)和損耗(hào)因數幾(jǐ)乎沒有(you)改變。在(zai)低溫下(xia)，聚酰亞(ya)胺材料(liao)具有良(liang)好的機(jī)械和電(diàn)性能，薄(báo)膜(O．05lmm)在一(yī)96℃ 的伸長(zhǎng)率保持(chi)率(與室(shì)溫比較(jiao))約爲35 ～ 4O ，拉(lā)伸強度(du)和彈性(xìng)模量提(tí)高約1．3倍(bei)。在液氮(dan)溫度下(xià)，材料的(de)體積電(diàn)阻率比(bǐ)室溫時(shí)高，約爲(wei)2×1015歐姆。介(jie)電常數(shù)在室溫(wēn)至4K的整(zheng)個溫度(du)範圍内(nei)變化很(hen)小， 約在(zai)3.0～3.2之間。薄(báo)膜材料(liao)(O.O03mm)的擊穿(chuān)電壓随(sui)低溫下(xià)降的變(biàn)化很小(xiǎo)。與室溫(wēn)下相比(bǐ)，液氮溫(wen)度下電(diàn)氣強度(dù)下降約(yuē)lO%,薄膜材(cái)料(100)在室(shì)溫下空(kōng)氣中的(de)交流電(diàn)氣強度(dù)約爲3×102MV／m，液(yè)氦溫度(dù)下爲2×102MV／m。

在(zài)半導體(tǐ)及微電(diàn)子工業(yè)上的應(yīng)用(聚酰(xian)亞胺薄(bao)膜)

(2)粒子(zǐ)遮擋膜(mó):随着集(jí)成電路(lù)密度和(he)芯片尺(chi)寸的不(bu)斷增大(da)，其抗輻(fu)射的性(xing)能也更(geng)顯重要(yào)。高純度(dù)的聚酰(xiān)亞胺塗(tú)層膜是(shì)一種有(you)效的耐(nai)輻射和(hé)抗粒子(zǐ)的遮擋(dang)材料。在(zai)元器件(jian)外殼的(de)鈍化膜(mo)上塗覆(fù)50一100單位(wei)的射線(xiàn)遮擋層(ceng)可防止(zhi)由微量(liang)鈾和牡(mu)等釋放(fang)的射線(xian)而造成(cheng)的存儲(chu)器錯誤(wù)。當然，聚(jù)酰亞胺(àn)塗覆樹(shù)脂中含(hán)鈾物質(zhi)的含量(liang)也要很(hen)低，用于(yú)256kDRAM的樹脂(zhī)要求鈾(you)的含量(liang)低于0.1pph。另(ling)外，聚酰(xiān)亞胺優(you)良的機(ji)械性可(kě)防止芯(xīn)片在後(hòu)續的封(feng)裝過程(chéng)中破裂(liè)。

(3)微電子(zǐ)器件的(de)鈍化層(ceng)和緩沖(chong)内塗層(ceng):聚酰亞(ya)胺薄膜(mo)作爲鈍(dun)化層和(he)緩沖保(bao)護層在(zài)微電子(zi)工業上(shang)應用非(fēi)常廣泛(fan)。PI塗層可(kě)有效地(di)阻滞電(diàn)子遷移(yí)、防止腐(fu)蝕。PI層保(bao)護的元(yuan)器件具(jù)有很低(di)的漏電(diàn)流，可增(zēng)加器件(jian)的機械(xie)性能，防(fáng)止化學(xué)腐蝕，也(yě)可有效(xiào)地增加(jia)元器件(jian)的抗潮(chao)濕能力(li)。PI薄膜具(ju)有緩沖(chòng)功能，可(ke)有效地(dì)降低由(you)于熱應(ying)力引起(qǐ)的電路(lù)崩裂斷(duan)路，減少(shao)元器件(jian)在後續(xù)的加工(gōng)、封裝和(hé)後處理(lǐ)過程中(zhōng)的損傷(shang)。雖然聚(ju)酰亞胺(àn)塗層可(kě)有效避(bì)免塑封(fēng)器件的(de)崩裂，但(dàn)效果與(yǔ)使用的(de)聚酰亞(yà)胺薄膜(mo)的性能(neng)密切相(xiàng)關。一般(ban)地，具有(yǒu)良好粘(zhan)接性能(neng)，玻璃化(hua)轉變溫(wēn)度高于(yu)焊接溫(wēn)度，低吸(xī)水率的(de)聚酰亞(yà)胺是理(lǐ)想的防(fáng)止器件(jian)崩裂的(de)内塗材(cái)料。

(4)多層(céng)金屬互(hù)聯電路(lu)的層間(jiān)介電材(cái)料:聚酰(xian)亞胺薄(báo)膜可作(zuo)爲多層(ceng)布線技(jì)術中多(duō)層金屬(shu)互聯結(jié)構的層(ceng)間介電(diàn)材料。多(duo)層布線(xiàn)技術是(shì)研制生(sheng)産具有(yǒu)三維立(li)體交叉(chā)結構超(chāo)大規模(mo)高密度(du)高速度(du)集成電(diàn)路的關(guān)鍵技術(shù)。在芯片(piàn)上采用(yong)多層金(jīn)屬互聯(lián)可以顯(xian)著縮小(xiao)器件間(jian)的連線(xian)密度，減(jiǎn)少RC時間(jiān)常數和(hé)芯片占(zhàn)用面積(jī)，大幅度(dù)提高集(jí)成電路(lu)的速度(dù)、集成度(dù)和可靠(kào)性。多層(céng)金屬互(hu)聯工藝(yi)與目前(qián)常用的(de)鋁基金(jin)屬互聯(lian)和氧化(hua)物介質(zhi)絕緣工(gōng)藝不同(tóng)，它主要(yao)采用高(gao)性能聚(jù)酰亞胺(an)薄膜材(cai)料爲介(jiè)電絕緣(yuan)層，銅或(huo)鋁爲互(hù)聯導線(xiàn)，利用銅(tong)的化學(xue)機械抛(pao)光。該技(jì)術的主(zhu)要優點(dian)在于利(lì)用了銅(tong)的高電(dian)導和抗(kang)電遷移(yí)性能、聚(jù)酰亞胺(an)材料的(de)低介電(diàn)常數、平(ping)坦化性(xing)能以及(ji)良好的(de)可制圖(tú)性能。